Độ tự cảm là hiện tượng vật dẫn chống lại sự thay đổi của dòng điện chạy qua nó; nó được định nghĩa là tỷ số của điện áp cảm ứng với tốc độ thay đổi của dòng điện tạo ra nó. Công thức thứ nguyên cho độ tự cảm là ML²T⁻²I⁻² và đơn vị SI của nó là henry (H). Độ tự cảm 1 H biểu thị rằng dòng điện thay đổi với tốc độ một ampe trên giây sẽ tạo ra điện áp một volt.
Bản chất cơ bản của độ tự cảm nằm ở mối quan hệ được mô tả bởi các phương trình Maxwell liên quan đến việc tạo ra điện trường bởi một từ trường biến thiên. Khi dòng điện trong dây dẫn thay đổi thì từ trường liên quan cũng thay đổi; theo định luật cảm ứng điện từ Faraday và định luật Lenz, điều này tạo ra một suất điện động (EMF) chống lại sự thay đổi của dòng điện. Sạc không dây sử dụng-cảm ứng trường gần-cụ thể là khớp nối cảm ứng-để truyền năng lượng.
Thuật ngữ "độ tự cảm" được Oliver Heaviside đặt ra vào tháng 5 năm 1884. Thiết bị tiêu chuẩn về độ tự cảm chính của đất nước tôi được phát triển bắt đầu từ năm 1971, hoàn thành vào năm 1975, được chứng nhận vào năm 1979 và tham gia so sánh quốc tế CCEM{4}}K3 vào năm 1990. Sunlord Electronics đã nộp bằng sáng chế vào năm 2025 cho một thành phần cảm ứng có khả năng kết hợp độ tự cảm cao với hệ số chất lượng cao.
